美国哈佛大学RobertJ.Wood、个样成有钱OluwaseunA.Araromi教授等人基于各向异性电阻结构(SCAR)中应变介导的接触，个样成有钱提出了一种具有高机械弹性的高灵敏度应变检测的通用且柔性的传感机制。

在X射线吸收谱中，从费城最阈值之上60eV以内的低能区的谱出现强的吸收特性,称之为近边吸收结构(XANES)。利用同步辐射技术来表征材料的缺陷，苦的窟出化学环境用于机理的研究已成为目前的研究热点。

贫民此外机理研究还需要先进的仪器设备甚至是原位表征设备来对材料的反应进行研究。黑人孩豪此外还可用分子动力学模拟及蒙特卡洛模拟材料的动力学行为及结构特征。目前，为硅国内的同步辐射光源装置主要有北京同步辐射装置，为硅（BSRF，第一代光源），中国科学技术大学的合肥同步辐射装置（NSRL，第二代光源）和上海光源（SSRF，第三代光源），对国内的诸多材料科学的研究起到了巨大的作用。

散射角的大小与样品的密度、谷最厚度相关，因此可以形成明暗不同的影像，影像将在放大、聚焦后在成像器件上显示出来。利用原位表征的实时分析的优势，个样成有钱来探究材料在反应过程中发生的变化。

Kim课题组在锂硫电池的正极研究中利用原位TEM等形貌和结构的表征，从费城最深入的研究了材料的电化学性能与其形貌和结构的关系(Adv.EnergyMater.,2017,7,1602078.)，从费城最如图三所示。

苦的窟出Fig.3Collectedin-situTEMimagesandcorrespondingSAEDpatternswithPCNF/A550/S,whichpresentstheinitialstate,fulllithiationstateandhighresolutionTEMimagesoflithiatedPCNF/A550/SandPCNF/A750/S.材料物理化学表征UV-visUV-visspectroscopy全称为紫外-可见光吸收光谱。贫民（d-e）BTPENG和不同电阻的BT@C-15PENG的平均输出功率。

约15nm碳层的BT@C/PENG的表现出最佳的开路电压、黑人孩豪短路电流和峰值功率密度，分别达到31V、1.8μA和45.4μW/cm2，是BT/PENG的近3.5、4.2和20倍。图七、为硅PZTPENG和PZT@CPENG的输出性能比较（a）PDMS、PZT/PDMS和PZT@C-15/PDMS的P-E回路，频率为100Hz。

谷最（e）重量下降测试的相应峰值输出电压变化。个样成有钱（d）BT@CPENGs在重量下降测试时的电压信号。